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存储器芯片景气触顶?三星电子重挫 4%

中国半导体论坛2019-04-20 13:22:31

 

       据报导,摩根士丹利26 日以明年存储器芯片获利恐难显著成长为由,将三星电子公司投资评等自“加码”降至“中性权重”,目标价下修 3.4% 至 280 万韩元。大摩指出,随着 NAND 型快闪存储器报价在 2017 年第四季开始反转,下行风险随之升高;在此同时,2018 年第一季以后的 DRAM 供需能见度也已降低。


       三星电子 10 月表示,2018 年 DRAM、NAND 型快闪存储器供需预估将持续呈现吃紧。三星电子 27 日盘中下跌 4.2%,创一年多以来最大跌幅。三星竞争对手 SKHynix 一度下跌 3.6%,创 10 月底以来最大跌幅。


       韩联社报导,韩国股市 27 日早盘遭逢来自外资与法人的卖压,以三星电子为首的科技股领跌。


       截至北京时间 27 日下午 12 时 41 分为止,三星电子下跌 4.18%,报 2,657,000 韩元;开盘迄今最低跌至 2,650,000 韩元,创 10 月 27 日以来新低。SK Hynix 下跌 2.35%,报 83,100 韩元;开盘迄今最低跌至 82,000 韩元,创 11 月 20 日以来新低。


       美国存储器大厂美光科技(Micron Technology Inc.)11 月 24 日上涨 1.10%,收 49.68 美元,创2000年9月 27 日以来收盘新高;今年迄今大涨 126.64%。


       美光将在 12 月 19 日公布 2018 会计年度第一季财报。新闻稿显示,美光的存储器与储存解决方案协助推动人工智能(AI)、机器学习以及自主驾驶车等颠覆性趋势。


       英特尔、美光科技 11 月 13 日宣布,IM Flash B60 晶圆厂已完成扩建工程。新闻稿指出,规模扩大后的晶圆厂将生产 3D XPoint 存储器媒体。成立于 2006 年的 IM Flash 合资企业替英特尔与美光生产非挥发性存储器。


       费城半导体指数 11 月 24 日涨 12.59 点或 0.95%、收 1,341.69 点,创历史收盘新高;周线上涨 2.66%,连续第 11 周收高。

      

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