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三星开始使用第二代10nm级技术生产8 GB DDR4-3600 IC

小电视科技2019-06-15 00:56:20


三星周三晚些时候表示,已经开始使用第二代“10纳米级”制造工艺批量生产DDR4内存芯片。新的制造技术缩小了新型DRAM芯片的尺寸,提高了性能和能源效率。为此,该工艺采用具有空气间隔的新电路设计(DRAM行业首次)。新的DRAM IC(集成电路)可以在标准DDR4电压下以每引脚数据速率(DDR4-3600)3600 Mbit / s运行,并已经在主要的CPU制造商中得到验证。


就像三星公司主要与DRAM相关的公告一样,今天的新闻包括两个部分:第一部分是关于新的DDR4 IC本身,第二部分是关于第二代“10纳米级”(三星称之为“ 1Y纳米)的制造技术,将被公司用于其他DRAM产品。这两个部分都很重要,但是让我们从新芯片开始吧。

三星公司采用16纳米工艺生产的新型DDR4芯片具有8GB容量,支持1.2V的3600MT / s数据传输速率。新款DRAM的运行速度比其直接上一代产品(称为三星C-die,额定功率为3200MT/秒),据称能效高达15%。此外,最新的8GB DDR4 IC采用了新的内嵌式数据传感系统,可以更准确地确定每个单元中存储的数据,并有助于提高集成度(即使单元更小),从而缩小芯片尺寸。


三星表示,与使用19nm制造技术制造的类似芯片相比,新的8GB DDR4芯片具有“大约30%的生产力增益”,三星并没有阐明“生产力增长”的含义,但可能是指功能每个晶圆和晶圆周期时间的DRAM位输出(然而,在更深层次上,其可以包括考虑到能量消耗,人数等的其他度量)。由于晶圆周期时间是很少公布的数字,所以关键外卖从宣布中获得的结果是,16纳米技术和新的内嵌式数据传感系统使三星能够缩小裸片尺寸,在单个300毫米晶圆上安装更多的DRAM裸片,在同样的产量下,整体30%的生产率增长会导致较低的单位芯片成本(但这并不意味着成本降低了30%),增加了DRAM位输出。

三星公司并没有公布最准确的最小半导体尺寸(用于命名DRAM工艺技术的特征尺寸),所以目前我们还不知道有关新芯片几何形状的细节。鉴于我们正在处理一个16nm的过程,假设最小的半间距尺寸从14nm到16nm是合乎逻辑的,但这是一个推测。我们所知道的是,三星的16纳米工艺技术继续使用ArF(氟化氩)浸没式光刻工具,据推测其具有四重构图(因此没有EUV)。同时,为了减少寄生电容,三星在其位线周围放置了空气隔离垫,这有助于提高DRAM的性能。


说到性能,值得注意的是三星的C-die DRAMs还没有被Corsair和G.Skill等公司用于爱好者的领先内存模块。显然,两家公司仍然使用经过时间考验的采用20纳米工艺技术制造的三星B型芯片IC。上述制造商是否会跳槽到新的1纳米8 Gb DDR4集成电路以及何时进行上市还有待观察。


三星表示,新的内嵌式数据传感系统以及空气间隔将被用于制造其他类型的DRAM,包括DDR5,HBM3,LPDDR5和GDDR6,这意味着这两个元素将在未来几年使用。当然,前三个标准进入商业化生产还有一段时间,但具有上述改进的GDDR6可以在可预见的将来生产,并使用16nm工艺。

CPU开发商(可能是英特尔,AMD,IBM,高通等)已经验证了使用三星第二代10纳米级工艺技术生产的新型8 GB DDR4-3600内存芯片。三星的下一步是与PC制造商验证内存模块,并将这些模块放入下一代系统。值得注意的是,这一次三星只在SO-DIMM上显示新的8 GB IC,而不是在桌面级内存模块上。目前还不清楚这是否与产品定位和/或三星自己的模块计划有关(例如,笔记本电脑首先被解决),但是之前三星总是在DIMM和SO-DIMM上发布最新DRAM的图片。


随着新8 GB DDR4 DRAM IC的发布,三星还表示将采用16纳米级制造工艺增加内存产品(不仅包括DDR4,还包括移动DRAM等),以满足“全球优质电子系统对DRAM的需求不断增长“。


注:图片来源于AnandTech

编辑:电视的看看